AON6812是一款由Alpha & Omega Semiconductor（万代半导体）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制程技术制造，具有低导通电阻、快速开关速度和高效率的特点。AON6812通常用于各种电源管理应用中，如DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路以及电机驱动等场景。其小尺寸封装设计有助于节省PCB空间，并且能够满足便携式电子设备对高效能和小型化的需求。 该器件的主要特点是具备非常低的导通电阻（Rds(on)），这使得它在功率转换应用中表现出极高的效率，同时减少发热量。此外，AON6812还具有较高的雪崩耐量和静电防护能力，从而增强了系统的可靠性和稳定性。 型号：AON6812 类型：N沟道增强型MOSFET Vds（漏源电压）：30V Rds(on)（导通电阻，典型值）：4.5mΩ Id（连续漏极电流）：78A Vgs（栅源电压）：±20V Qg（栅极电荷）：3.9nC EAS（雪崩能量）：4.5mJ 封装：LFPAK56（PowerSO8） 工作温度范围：-55℃至+175℃ AON6812具备以下显著特性： 1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低功耗并提升效率。 2. 高额定电流（78A），适用于大电流应用场景。 3. 快速开关性能，适合高频开关应用。 4. 小型化封装设计（LFPAK56），有助于节省PCB空间。 5. 较宽的工作温度范围（-55℃至+175℃），确保在极端环境下仍能稳定运行。 6. 良好的热性能，有助于提高系统散热效率。 7. 内置ESD保护功能，增强器件的抗静电能力。 这些特性使AON6812成为许多高效能功率管理应用的理想选择。 AON6812广泛应用于以下领域： 1. DC-DC转换器：用于降压或升压电路中，提供高效的功率转换。 2. 负载开关：在便携式设备中用作电源通断控制。 3. 电池保护电路：防止过流、过充等情况发生，保护电池安全。 4. 电机驱动：为小型直流电机提供驱动电流。 5. 开关电源：在AC-DC适配器和其他电源供应单元中使用。 6. 汽车电子：适用于汽车内部的各种电子控制系统。 AON6812凭借其卓越的性能和可靠性，在众多工业和消费类电子产品中得到了广泛应用。 AON6810 AON6811 IRLZ44N FDP5530 AON6812推荐供应商 更多> 柒号芯城电子商务(深圳)有限公 Alpha Omega Semiconductor Inc. 23+/8DFNEP (5.2x5.55) 2022+/DFN56C8EP 26+/DFN8EP(5x6) Alpha Omega Semiconductor Inc. 2024+/8DFNEP (5.2x5.55) ISP2032VE-225LTN44I VJ0805A822GXQRW1BC XCF32PTMFG48ART C0603C331J5RAL7867 现有数量 0现货 价格 停产 系列 - 包装 卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带 产品状态 停产 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 27A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） 34nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1720pF @ 15V 功率 - 最大值 4.1W 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 8-SMD，扁平引线裸焊盘 供应商器件封装 8-DFN-EP（5x6） 价格 停产 系列 - 包装 卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带 产品状态 停产 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 27A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） 34nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1720pF @ 15V 功率 - 最大值 4.1W 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 8-SMD，扁平引线裸焊盘 供应商器件封装 8-DFN-EP（5x6） 系列 - 包装 卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带 产品状态 停产 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 27A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） 34nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1720pF @ 15V 功率 - 最大值 4.1W 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 8-SMD，扁平引线裸焊盘 供应商器件封装 8-DFN-EP（5x6）

包装 卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带 产品状态 停产 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 27A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） 34nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1720pF @ 15V 功率 - 最大值 4.1W 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 8-SMD，扁平引线裸焊盘 供应商器件封装 8-DFN-EP（5x6） 产品状态 停产 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 27A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） 34nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1720pF @ 15V 功率 - 最大值 4.1W 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 8-SMD，扁平引线裸焊盘 供应商器件封装 8-DFN-EP（5x6） 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 27A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） 34nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1720pF @ 15V 功率 - 最大值 4.1W 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 8-SMD，扁平引线裸焊盘 供应商器件封装 8-DFN-EP（5x6） 配置 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 27A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） 34nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1720pF @ 15V 功率 - 最大值 4.1W 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 8-SMD，扁平引线裸焊盘 供应商器件封装 8-DFN-EP（5x6） FET 功能 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 27A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） 34nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1720pF @ 15V 功率 - 最大值 4.1W 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 8-SMD，扁平引线裸焊盘 供应商器件封装 8-DFN-EP（5x6） 漏源电压（Vdss） 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 27A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） 34nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1720pF @ 15V 功率 - 最大值 4.1W 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 8-SMD，扁平引线裸焊盘 供应商器件封装 8-DFN-EP（5x6） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 27A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） 34nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1720pF @ 15V 功率 - 最大值 4.1W 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 8-SMD，扁平引线裸焊盘 供应商器件封装 8-DFN-EP（5x6） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） 34nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1720pF @ 15V 功率 - 最大值 4.1W 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 8-SMD，扁平引线裸焊盘 供应商器件封装 8-DFN-EP（5x6） 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） 34nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1720pF @ 15V 功率 - 最大值 4.1W 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 8-SMD，扁平引线裸焊盘 供应商器件封装 8-DFN-EP（5x6） 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） 34nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1720pF @ 15V 功率 - 最大值 4.1W 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 8-SMD，扁平引线裸焊盘 供应商器件封装 8-DFN-EP（5x6） 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1720pF @ 15V 功率 - 最大值 4.1W 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 8-SMD，扁平引线裸焊盘 供应商器件封装 8-DFN-EP（5x6） 功率 - 最大值 4.1W 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 8-SMD，扁平引线裸焊盘 供应商器件封装 8-DFN-EP（5x6） 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 8-SMD，扁平引线裸焊盘 供应商器件封装 8-DFN-EP（5x6） 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 8-SMD，扁平引线裸焊盘 供应商器件封装 8-DFN-EP（5x6） 封装/外壳 8-SMD，扁平引线裸焊盘 供应商器件封装 8-DFN-EP（5x6） 供应商器件封装 8-DFN-EP（5x6） IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ©2026 维库电子市场网（www.dzsc.com） 经营许可证编号： 浙B2-20050339 版权声明 十六年专注打造优质 电子元器件采购网 、IC交易平台。 买家服务热线：0571-85317666 | 买家服务部QQ： 卖家服务热线：0571-85317586 | 卖家服务部QQ：